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IRLR/U3717PbF
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
6.0
5.0
ID= 12A
VDS= 16V
VDS= 10V
10000
Ciss
4.0
3.0
1000
Coss
2.0
Crss
1.0
100
0.0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
1000.00
10000
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
T J = 25°C
T J = 175°C
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100.00
100
100μsec
10.00
10
Tc = 25°C
1msec
1.00
VGS = 0V
1
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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